硬盤技術(shù)大突破，存儲密度提升4倍，進(jìn)軍20TB

Win7之家（ afsion.com.cn）：硬盤技術(shù)大突破，存儲密度提升4倍，進(jìn)軍20TB

本月初，日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）和日立公司剛剛共同宣布了硬盤磁頭技術(shù)領(lǐng)域的突破，通過使用微波輔助磁記錄技術(shù)，可望實現(xiàn)每平方英寸3Tb的存儲密度。而今，NEDO、日立又聯(lián)合東京工業(yè)大學(xué)、京都大學(xué)，宣布在磁盤盤片介質(zhì)領(lǐng)域的新研發(fā)成果，可制成每平方英寸3.9Tb密度的硬盤盤片。

東京工業(yè)大學(xué)、京都大學(xué)和日立公司之前曾研發(fā)過一種在盤片基板表面設(shè)置高分子材料容易聚集的化學(xué)標(biāo)記技術(shù)，通過設(shè)置整齊的化學(xué)標(biāo)記點陣，形成整齊的存儲介質(zhì)分子排列。而在NEDO加入后，對此技術(shù)進(jìn)行了進(jìn)一步改進(jìn)，通過將標(biāo)記點陣進(jìn)一步微型化，使用形成周期10nm級的“有機(jī)無機(jī)混合高分子聚合物”，再加上點陣間插入新標(biāo)記點的“圖形密度高倍化技術(shù)”，實現(xiàn)了存儲密度的突破。在之前的技術(shù)中，使用電子線直接描畫（EB）法，可形成周期24nm左右的標(biāo)記點陣，而新技術(shù)則在中間再插入一個標(biāo)記點，現(xiàn)已制成100平方微米范圍內(nèi)周期12nm間隔的規(guī)則標(biāo)記點陣。而附著其上的高分子聚合物在加入硅原子后，解決了構(gòu)造不穩(wěn)定的問題，實現(xiàn)了10nm級的超微細(xì)點陣構(gòu)造。

在這些技術(shù)的基礎(chǔ)上，新技術(shù)相比原有方案的存儲密度提升了4倍，達(dá)到每平方英寸3.9Tb。而相比目前量產(chǎn)硬盤500Gb/in2左右的密度，新技術(shù)存儲密度提升達(dá)到8倍。未來如果此技術(shù)投入商用，3.5寸硬盤容量有望突破10TB，邁向20TB大關(guān)。研發(fā)團(tuán)隊表示，該技術(shù)的更多細(xì)節(jié)將于本月底在美國舉行的材料研究學(xué)會2010秋季會議上發(fā)表。