2011年內(nèi)存市場五條有趣的預(yù)測

2011年將是NAND閃存而不是DRAM內(nèi)存大行其道的一年。平板電腦開始蠶食低端筆記本/上網(wǎng)本的市場份額。在這種情況下，那些內(nèi)存容量小等于2GB的小尺寸筆記本將逐漸被僅配有256Mb或32Mb容量內(nèi)存的平板電腦產(chǎn)品所取代，這樣內(nèi)存市場會呈現(xiàn)供過于求的局面�！�

2-走進(jìn)3xnm制程時代

總體上看，大部分內(nèi)存芯片廠商將使用各種基于3xnm技術(shù)的制程來制造內(nèi)存芯片產(chǎn)品。三星和Hynix正在積極向3xnm制程遷移。更有趣的是，日本爾必達(dá)公司則正在計劃從65nm或65nm的縮減版制程一步跳躍到3xnm節(jié)點制程，轉(zhuǎn)換完成后，爾必達(dá)內(nèi)存芯片產(chǎn)品的成本將大幅降低。”

 3-韓國廠商壟斷內(nèi)存芯片市場

從市場角度看，與NAND閃存市場眾商家實力接近的局面有所不同，內(nèi)存市場很有可能會呈現(xiàn)出韓國廠商獨領(lǐng)風(fēng)騷的局面。目前，僅有韓國的三星和Hynix公司可以稱為一級內(nèi)存廠商，而鎂光，南亞，華亞則因財力，技術(shù)實力方面稍遜一籌而排在第二集團；爾必達(dá)，力晶，瑞晶等財力和技術(shù)實力較落后，并正試圖趕上的廠商則排在第三集團。

三星目前無疑是DRAM內(nèi)存界的老大。他們幾乎獨霸了作為30nm制程DRAM制造的必需品之一的ASML公司生產(chǎn)的NXT液浸光刻機市場。這樣，2011年將是三星市場份額大增的一年。相比全球DRAM容量產(chǎn)量增長45-50%的幅度，三星公司的增長幅度可達(dá)70%左右。

Hynix則是僅居三星之后的一級廠商。他們目前的主要問題是債務(wù)過重和股權(quán)結(jié)構(gòu)不夠合理，預(yù)計2011年這些問題可能會得到解決。Hynix目前正在中國無錫的工廠生產(chǎn)4x/3xnm制程的內(nèi)存芯片產(chǎn)品，他們的產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展步伐僅位于三星之后。明年他們將從8F2轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的6F2架構(gòu)，而他們與三星的距離也將進(jìn)一步縮小。

4-鎂光面前困難重重

鎂光曾一度呈現(xiàn)出進(jìn)入第一集團的態(tài)勢，實際上在2009年鎂光就曾被外界公認(rèn)為算是一級廠商.不過目前情況下，鎂光要進(jìn)入第一集團行列是有條件的，這個條件是他們的內(nèi)存芯片產(chǎn)品制程必須成功從傳統(tǒng)的溝槽式電容結(jié)構(gòu)升級到頂部堆疊式電容結(jié)構(gòu)，而實際上盡管這一轉(zhuǎn)換過程在今年年初看來還算順利，但后來這種新制程的良率方面似乎遇到一定的問題，結(jié)果導(dǎo)致鎂光今年全年的內(nèi)存容量產(chǎn)量不升反降�！�

實際上，鎂光的臺灣合作伙伴如南亞，華亞等公司在轉(zhuǎn)換到頂部堆疊式電容結(jié)構(gòu)時并不順利，兩家公司目前都還在為50nm頂部堆疊制程的良率改善而努力，這就更談不上向40/30nm節(jié)點的進(jìn)化了。不過2011年情況也許會有所不同，預(yù)計屆時至少這些廠商都能夠順利完成頂部堆疊式電容結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)換工作，而且鎂光及其臺系內(nèi)存合作伙伴又有臺塑做強大的財力后盾，因此屆時向40/3xnm制程轉(zhuǎn)換的過程應(yīng)該會較為順利。不過此時值得注意的是鎂光2011年會將資本投資額的2/3比例劃撥給NAND閃存業(yè)務(wù)使用。

5-爾必達(dá)的豪賭

爾必達(dá)一直竭力向擠入內(nèi)存廠商的“上游社會”。他們與瑞晶，力晶，茂德等臺系內(nèi)存廠商有合作關(guān)系，同時爾必達(dá)還準(zhǔn)備在日本和臺灣兩國的金融市場上豪賭一筆。技術(shù)方面，爾必達(dá)完成了向65nmXS制程（65nm制程的縮減尺寸版制程）的轉(zhuǎn)換，這樣在目前內(nèi)存價格持續(xù)上升的情況下，他們的65nm內(nèi)存芯片產(chǎn)品仍可盈利，另外，爾必達(dá)也在努力向40/30nm節(jié)點制程進(jìn)化。

原文：eetimes