英特爾:計(jì)劃3年內(nèi)發(fā)布14納米凌動(dòng)內(nèi)核

2011/5/19 9:33:42    編輯:21IC中國(guó)電子網(wǎng)     字體:【

Win7之家afsion.com.cn):英特爾:計(jì)劃3年內(nèi)發(fā)布14納米凌動(dòng)內(nèi)核

由于對(duì)目前凌動(dòng)處理器路線圖的不甚滿意,英特爾公司首席執(zhí)行官Paul Otellini稱公司將加快新款凌動(dòng)處理器的設(shè)計(jì)進(jìn)度。英特爾公司的一個(gè)目標(biāo)是在智能手機(jī)和平板電腦設(shè)備上部署其凌動(dòng)處理器。Paul認(rèn)為公司應(yīng)該改變?cè)新肪圖,尋找新的中心點(diǎn)。

隨后Paul解釋說(shuō),公司計(jì)劃在2014年發(fā)布14納米凌動(dòng)內(nèi)核,即Airmont,2014年也是14納米制造工藝在英特爾主流CPU中首次亮相。目前英特爾的凌動(dòng)芯片還使用45納米技術(shù)制造,讓英特爾在PC芯片方面落后一代。該公司的下一款凌動(dòng)處理器基于32納米制造工藝,預(yù)計(jì)在今年第四季度推出,而首款22納米Tri-Gate凌動(dòng)芯片Silvermont將在2013年推出。

從22納米工藝開始,英特爾將改變凌動(dòng)筆記本的功率范圍設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)目標(biāo)由40W下降到15W。另外,該公司還將提供大量片上系統(tǒng)解決方案來(lái)涵蓋1W至10W范圍的芯片。

Paul還宣稱在2012的前半年,英特爾將在Medfield(32納米凌動(dòng))芯片的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)智能手機(jī)芯片。