Win7之家（ afsion.com.cn）：Win7硬件：三星首次展示“DDR5”內(nèi)存：容量、速率驚人
IT之家訊 9月6日消息，DDR4內(nèi)存從圖紙到實(shí)際商用，總共耗費(fèi)了大約9年的時(shí)間，現(xiàn)在，行業(yè)內(nèi)人士已經(jīng)開(kāi)始著手打造新的后DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)（暫稱為DDR5）。近日，三星在Intel開(kāi)發(fā)者論壇上，首次透露了一些關(guān)于后DDR4內(nèi)存的初步信息。
首先，在傳輸速率方面，后DDR4內(nèi)存每針腳的傳輸速率將達(dá)到6.4Gbps，總帶寬將達(dá)到51.2GB/s；容量方面的變化將更加顯著，單顆內(nèi)存容量將從4Gb、8Gb增加到32Gb，這對(duì)于服務(wù)器等設(shè)備來(lái)說(shuō)十分重要。在工藝制程方面，后DDR4內(nèi)存或?qū)⒉捎?0nm工藝打造，三星也沒(méi)有給出十分肯定的說(shuō)法。
現(xiàn)有的DDR4標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)具備很高的性能，不過(guò)也有兩個(gè)因素制約它繼續(xù)提高，其一是如果不使用單獨(dú)的緩存器，每個(gè)通道最多只能承載兩個(gè)內(nèi)存模塊；另外，在現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)垂直芯片封裝下，最大時(shí)鐘頻率大概只能達(dá)到4.26GHz。為了解決這些難題，三星也在考慮采用光學(xué)接口、2.5D或是3D封裝等新技術(shù)。
最后，三星預(yù)計(jì)后DDR4內(nèi)存的第一個(gè)原型將在2018年出現(xiàn)，不過(guò)除了技術(shù)因素外，制約它出現(xiàn)的因素還有很多，包括相關(guān)技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化以及大規(guī)模量產(chǎn)的工藝成熟度等，因此，后DDR4內(nèi)存很有可能在2020-2025年之間才會(huì)真正現(xiàn)身市場(chǎng)。