功耗狂降，迄今最小40nm內(nèi)存顆粒日本問世

Win7之家（ afsion.com.cn）：功耗狂降，迄今最小40nm內(nèi)存顆粒日本問世

據(jù)報道，日本DRAM大廠爾必達今天宣布已經(jīng)研發(fā)出40nm 2Gb移動（Mobile RAM）內(nèi)存顆粒。該顆粒大小不到50平方毫米，號稱目前能夠使用40nm工藝實現(xiàn)量產(chǎn)的最小顆粒。

該2Gb移動內(nèi)存顆�；�于40nm CMOS工藝，支持x16-bit、x32-bit位寬，采用60/90-ball FBGA或PoP式FBGA封裝。除JEDEC標準的1.8V電壓外，該顆粒還可支持1.2V的低電壓工作，數(shù)據(jù)傳輸率400Mbps，工作溫度-25到85度。

爾必達稱，新40nm顆粒在使用了爾必達獨家設(shè)計工藝以及對電路、整體設(shè)計的優(yōu)化后，功耗相比之前50nm顆粒降低30%。一顆40nm 2Gb移動顆粒的功耗比兩顆1Gb顆粒功耗一半還少。而且在不改變顆粒封裝空間的前提下，新顆粒密度提高兩倍，適用于智能手機、平板機等其它手持設(shè)備。

據(jù)悉爾必達將在今年六月份出貨樣品顆粒，7月份就有可能實現(xiàn)量產(chǎn)，爾必達廣島工廠將負責新顆粒的生產(chǎn)。

新手解惑：nm 意為納米。