• 惠普下一代內存技術將會替代閃存和DRAM發(fā)布時間：2011/5/17

    研發(fā)人員已經在“憶阻器”下一代內存技術方面取得了小的突破，一些人認為它可能會替代當今普遍應用的閃存和DRAM技術。 惠普研發(fā)人員在周一《納米技術》雜志中提到，他們已經掌握了電氣操作過程中“憶阻器”內部發(fā)生變化時的基本化學性質和結構。 惠普高級研究員......

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